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产品分类
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产品信息
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 200 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 780 W |
| 工作温度： | + 125 C |
| 封装 / 箱体： | 62 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极电压： | +/- 20 V |
| 工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 工厂包装数量： | 500 |
本公司长期经销 EUPEC, TOSHIBA、SEMIKRON、MITSUBISHI,IR、FUJI、IXYS、SanRex、HITACHI、POWEREX、MOTOROLA、FAIRCHILD、NI等国外公司生产的IGBT、IPM、GTR、GTO、可控硅、整流等模块。